В некоторых случаях для окончательной химико-механической полировки используют составы, не содержащие абразивных порошков (например, при полировке ионами меди). Эти составы содержат азотнокислую медь, фтористый аммоний и азотную кислоту. Полировка этими составами может быть широко внедрена в серийное производство. После тонкой полировки пластины и кристаллы сразу же промывают поролоновой губкой в мыльной воде, затем в протоке горячей депонированной воды. Сушат пластины на центрифугах, в потоке сухого теплого воздуха. Условие немедленной промывки полированных пластин вызвано необходимостью срочного удаления с поверхности высокого класса чистоты загрязнений, состоящих из остатков реактивов и поверхностно-активных веществ, поскольку эти загрязнения способны в течение очень короткого времени привести к коррозии полированной поверхности пластин.
После проведения всех видов механической обработки, определяемых конкретно для каждого типа полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, проводят сортировку и контроль пластин и кристаллов. Основу контроля составляют проверка качества поверхности, геометрическое формы для пластин, сортировка кристал-лов по форме и размерам.
Основные технические дан-кые типичных для" полупроводникового производства видов [I панической обработки кремниевых пластин и кристаллов приведены ранее (см. табл. Г>-2). Шероховатость и глуби-н.1 разрушенного слоя определяют качество механической Обработки полупроводниковых пластин п кристаллов. Шероховатость поверхности оце-нивают средним чрпфметическим отклонением профиля R& или высотой микронеровностей Rz по стандартной методике ГОСТ 2789-59. На рис, 6-17 показан профиль поверхности, обработанной механическим способом, с различным значением расстояний Уи //з, //,„ от точек измеренного профиля до его средней линии, среднее значение которых характеризуется значением Ra. Значение R7 определяют на базовой длине как  среднее расстояние   между пятью высшими выступами и низшими впадинами, замеренными от линии Л, параллельной средней линии.
При этом за базовую длину / принимают минимальную длину измеренного участка поверхности. Значения для R& и Д2 для различных классов чистоты поверхности приведены в табл. 5-3.